盡管電動汽車市場在不斷增長，但要實現(xiàn)廣泛應用仍面臨一些挑戰(zhàn)。為解決這些問題，一個明顯的趨勢是開發(fā)基于碳化硅(SiC)的800伏特電動汽車總線驅動系統(tǒng)。

　　牽引逆變器推出新型SiC技術

　　這類系統(tǒng)能夠實現(xiàn)更快的充電速度，同時減輕電動汽車的重量，使得汽車制造商能夠生產出續(xù)航里程更長的高端車型。在這一領域，意法半導體已經推出了第四代STPOWER SiC MOSFET。第四代技術提高了汽車和工業(yè)市場產品的功率效率和功率密度。

　　意法半導體計劃在2025年全年增加750伏特和1200伏特級別的產量，目的是將SiC的優(yōu)勢從高端汽車擴展到中型和緊湊型電動汽車。電動汽車依賴牽引逆變器將車輛電池中儲存的高壓直流電轉換為驅動交流牽引電機。考慮到高功率開關和可能涉及的高dv/dt瞬變，牽引逆變器必須非常堅固可靠。

       意法半導體的新型750伏特和1200伏特SiC MOSFET器件預計將提高400伏特和800伏特電動汽車總線牽引逆變器的能效和性能。

　　據稱，SiC技術同樣適用于多種高功率工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、儲能解決方案和數(shù)據中心，從而提升這些快速增長的應用的能源效率。

　　據意法半導體稱，與前幾代產品相比，第四代SiC MOSFET的導通電阻(RDS(on))顯著降低，最小化了導通損耗，并提高了整體系統(tǒng)效率。它們提供更快的開關速度，從而降低開關損耗，這對于高頻應用至關重要，并且能夠實現(xiàn)更緊湊、更高效的電源轉換器。

　　意法半導體的SiC技術進展：

　　第四代SiC技術：完成了750V級別資格認證，預計2025年第一季度將完成1,200 V級別的資格認證。

　　商業(yè)應用：隨后，750 V和1,200 V的SiC器件將投入商業(yè)使用，適用于從標準交流線路電壓到高壓EV電池和充電器的應用需求。

　　技術創(chuàng)新：正在并行開發(fā)多項SiC技術創(chuàng)新，第五代SiC功率器件將采用基于平面結構的高功率密度技術。

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